主要技術(shù)特點

1、采用空心線圈產(chǎn)生磁場。特點是磁場線性度好，沒有剩磁及磁飽和；在不同的勵磁電流下都可以做霍爾效應(yīng)實驗；換向感應(yīng)電勢小，不易損壞霍爾片和換向開關(guān)；另外，較低的磁場強度有利于減小副效應(yīng)的影響；

2、采用高靈敏度的砷化鎵霍爾元件，配合空心線圈進行實驗，勵磁電流較小，降低能耗，霍爾電勢的溫度漂移小；

3、采用繼電器切換電流方向，配以換向指示LED。使用壽命比閘刀開關(guān)延長2倍以上，操作又很簡便；

4、完善的霍爾片保護電路：設(shè)有過壓、過流和吸收電路，接線錯誤和頻繁換向不會造成霍爾片和儀器損壞。

主要實驗內(nèi)容

1、霍爾效應(yīng)原理；

2、測繪霍爾元件的V_H—I_S，V_H—I_M曲線；

3、了解霍爾電勢差V_H與霍爾元件工作電流I_S、磁感應(yīng)強度B及勵磁電流I_M之間的關(guān)系；

4、利用霍爾效應(yīng)測量磁感應(yīng)強度B；

5、雙線圈磁場分布測試。

主要技術(shù)參數(shù)

1、勵磁恒流源0～0.5A，調(diào)節(jié)細度＜1mA，穩(wěn)定度＜10^-5，3位半LED數(shù)顯；

2、樣品工作電流源0～3.5mA，調(diào)節(jié)細度＜10μA，穩(wěn)定度＜10^-5，3位半LED數(shù)顯；

3、直流數(shù)字毫伏表0～20mV，分辨率10μV，3位半LED數(shù)顯；

4、砷化鎵霍爾片，霍爾靈敏度≥150mV/(mA·T)；

5、二個勵磁線圈：線圈匝數(shù)1400匝(單個)；有效直徑72mm；二線圈中心間距52mm；

6、移動尺裝置：橫向移動距離70mm，縱向移動距離25mm，距離分辨率0.1mm。